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VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
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Inalámbrico/radio/banda de frecuencia de banda ancha del gigahertz del amplificador 1,1 – 1,7 del Rf

Detalles del producto

Lugar de origen: China

Nombre de la marca: VBE

Certificación: ISO9001

Número de modelo: VBE-200PA

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: 1set

Precio: Customized Product

Detalles de empaquetado: embalaje neutral

Tiempo de entrega: 7-15 días

Condiciones de pago: T/T, Western Union,

Capacidad de la fuente: 10000 PC por mes

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Especificaciones
Lo más destacado:

Amplificador de potencia de la radiofrecuencia

,

amplificador de potencia de banda ancha del rf

Nombre de producto:
PA del amplificador de potencia del RF de la banda de Ku
Banda de frecuencia:
14.0 - 14,5
Temperatura de trabajo:
0~+50°C
Voltaje de funcionamiento:
DC +15V
Nombre de producto:
PA del amplificador de potencia del RF de la banda de Ku
Banda de frecuencia:
14.0 - 14,5
Temperatura de trabajo:
0~+50°C
Voltaje de funcionamiento:
DC +15V
Descripción
Inalámbrico/radio/banda de frecuencia de banda ancha del gigahertz del amplificador 1,1 – 1,7 del Rf

Inalámbrico/radio/banda de frecuencia de banda ancha del gigahertz del amplificador 1,1 – 1,7 del Rf
 
PA de estado sólido del amplificador de potencia del poder más elevado 1.1-1.7GHz RF, módulo del amplificador de potencia del RF

 


Inalámbrico/radio/banda de frecuencia de banda ancha del gigahertz del amplificador 1,1 – 1,7 del Rf 0

 

 

 

 

CARACTERÍSTICAS DEL AMPLIFICADOR DE POTENCIA:

 

Diseño linear de la clase A/AB GaN

Sistema montado estante

 

Ancho de banda amplio instantáneo

 

Conveniente para EMI/RFI de banda ancha, laboratorio, Comm., y usos de la guerra electrónica

 

Conveniente para el pulso y todos los estándares de la modulación del monocanal

Circuitos de protección incorporados

 

Altas confiabilidad y aspereza para las aplicaciones móviles

 
 
ESPECIFICACIONES DEL AMPLIFICADOR DE POTENCIA:
 

Parámetro   Especificación   Notas  
Gama de frecuencia de funcionamiento   1,1 – 1,7 gigahertz      
Saturación de la salida de poder @   Tipo de 300 vatios   CW  
Salida de poder @ P1dB   Minuto de 200 vatios      
Aumento del poder     minuto del DB 54   Pin=0dBm para la operación normal  
Llanura del aumento del poder   3,0 DB p-p máximo   Energía de entrada constante  
Características del pulso Anchura   Deber   PRF    
100 nS            
             
Pérdida de vuelta entrada     -10 DB máximo   En relación con 50 ohmios  
Intermodulación del 2-tono (IMD)     -30 tipo del dBc   44dBm/Tone, = 1MHz  
Figura de ruido     <20 dB="">      
Armónicos   <-20 dBc="" Typ="">   En de potencia de salida clasificado  
Falso   -60 dBc máximo   No-armónicos  
Voltaje de funcionamiento   180 - 240 VAC      
Consumo de energía   1500 vatios de máximo   En el abadejo clasificado  
Protección de la energía entrada   dBm +20 máximo   <10 Sec="" without="" damage="">  
Protección de la carga VSWR     5: 1 máximo   <1 minute="" at="" rated="" Pout="">  
CARACTERÍSTICAS AMBIENTALES              
Parámetro   Especificación   Notas  
Temperatura ambiente de funcionamiento     °C 0 a +50      
Temperatura de almacenamiento   °C -40 a +85      
Humedad relativa     5 al 95%   Sin condensación  
ESPECIFICACIONES MECÁNICAS              
Parámetro   Especificación   Notas  
Dimensiones W x H x D   430 x 222 x 560 milímetros   5U - Excepto las manijas  
Peso     35 kilogramos      
En/hacia fuera de los conectores del RF   Tipo-n hembra   Panel delantero o trasero  
Corriente ALTERNA/interfaz IEC 60320-C14/9-Pin D-sub O equivalente  
Enfriamiento   Construido en el enfriamiento de la fan   Velocidad variable  
OPCIONAL: Monitor y control de Digitaces: Ethernet RJ-45 TCP/IP, RS422/485, USB Opcional  
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