productos

Hogar /

productos

DC condición original del nitruro 28V del galio del amplificador de transistor de 8GHz 6W Rf a la nueva

Name: DC condición original del nitruro 28V del galio del amplificador de transistor de 8GHz 6W Rf a la nueva
Brand: VBE
SKU: VBE80R6H
Rating: 4.6 (120 reviews)

Detalles del producto

Lugar de origen: China

Nombre de la marca: VBE

Certificación: ISO

Número de modelo: VBE80R6H

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: 1pcs

Detalles de empaquetado: embalaje neutral

Tiempo de entrega: 5-8 días laborables

Capacidad de la fuente: 10k

Obtenga el mejor precio

Contacta ahora

Especificaciones

Descripción

Especificaciones

Alta luz: 
                                                                                                                                            transistor del RF del poder más elevado, transistor del amplificador de potencia del rf
                                                      

Condición:

nueva y original

Condición:

nueva y original

Descripción

DC condición original del nitruro 28V del galio del amplificador de transistor de 8GHz 6W Rf a la nueva

DC condición original del nitruro 28V del galio del amplificador de transistor de 8GHz 6W Rf a la nueva 0

DC condición original del nitruro 28V del galio del amplificador de transistor de 8GHz 6W Rf a la nueva 1

DC condición original del nitruro 28V del galio del amplificador de transistor de 8GHz 6W Rf a la nueva 2

DC condición original del nitruro 28V del galio del amplificador de transistor de 8GHz 6W Rf a la nueva 3

Tags:

Transistor de banda ancha ancho de los FETs 28V LDMOS RF del transistor de poder de la banda 700-3600MHz 20W RF LDMOS, transistores del RF del poder más elevado

Obtenga el mejor precio

Envíenos su solicitud y le responderemos lo antes posible.

Envío

La señal del teléfono celular Jammer

emisión de la señal del wifi

Emisión de la señal del PDA

Emisiones de la bomba del convoy

emisiones del teléfono de la celda de prisión

Emisión de la señal del poder más elevado

emisión portátil de la señal

emisión de la señal de los gps

emisiones antis del abejón

Detectores de drones

Interceptación del teléfono móvil

Módulo del amplificador de potencia del RF

Teléfono celular Repetidor de señal

aumentador de presión móvil de la señal

detector de la señal del rf

Transistor de potencia de RF

Componentes pasivos del RF

Antenas del RF

DC condición original del nitruro 28V del galio del amplificador de transistor de 8GHz 6W Rf a la nueva

transistor del RF del poder más elevado

transistor del amplificador de potencia del rf

transistor del RF del poder más elevado,

transistor del amplificador de potencia del rf,

transistor de poder de alta frecuencia

Banda ancha durable DC del transistor de poder del RF al nitruro del galio de 6GHz 25W 28 voltios

Transistor de banda ancha ancho de los FETs 28V LDMOS RF del transistor de poder de la banda 700-3600MHz 20W RF LDMOS, transistores del RF del poder más elevado

HF excelente del FET 28V del transistor LDMOS del amplificador de potencia del Rf de la estabilidad de Theramal a 2.7GHz

Banda ancha de alta velocidad DC del transistor de poder del RF del material sólido a 3GHz 120W

transistores de poder más elevado del RF de los FETs de 700-1000MHz LDMOS 28V 260W con la protección integrada del ESD

HF amplio de la banda a FET 28V RoHs del transistor de poder de 1GHz 55W RF LDMOS obediente

Banda ancha 700 del transistor de poder del nitruro 28V RF del galio a la vida útil larga de 5000MHz 25W